7月2日，韩国媒体昨天报道说，三星定于明年3月开始为其第十V-nand Generation，Next-Nand Flash NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND NAND（明年3月）建设，并计划于当年10月进入完整的质量生产阶段。施工线建设计划将于2026年3月开始安装设备，在上半年完成生产线，然后进行测试的生产以及稳定后向正式批量生产的过渡。该时间表比某些人以前预期的要慢。三星电子的最先进的NAND过程是286层的V9，下一代V10的堆叠层数量上升到400多层（据报道，家里大约有430层）。我们还将技术添加为超低温度雕刻和混合链接。根据由今年2月的ESSCC 2025会议的三星电子产品可以达到28 GB/mm2的存储密度和5.6 Gbps E/O PIN速率。