7月24日的新闻，@gskill Zhiqi International的微博官员发布了博客帖子Hoy（7月24日），并宣布他将启动T5 NEO DDR5-6400 CL38 512GB（64GBX8）RDIMM。超频的内存使用了最后一个PCB R-DIMM DDR5 16层的DDR5，并配备了二极管设计和过渡电压抑制保险丝（TVS）。适用于数据计算机中心，人工智能，自动学习平台或各种高性能科学计算机科学环境。内存组件通过AMD Ryzen Threadripper Pro 9945WX处理器和基于ASUS WRX90E SE的测试平台的燃烧机测试。 Zhiqi已附上相关的测试屏幕截图，如下所示：他说，截至2025年8月，新的T5 NEO DDR5-6400 CL38 512GB（64GBX8）R-DIMM内存Nake将在全球范围内推出。该博客的官方出版物尚未提及特定价格。