6月10日，他昨天报道说，韩国媒体必须使用HBM4 DRAM中的1B技术扩大DRAM DIE区域，并减少HBM技术的DRAM HBM TROCHERS数量，因为与以前的产品相比，HBM4内存中的I/O数量增加了一倍至2048。但是，对于三星电子产品，随着使用HBM4存储器的DRAM模具工艺将从上一代1A NM更新到1C NM，预计单个-A -AID DRAM Trochers的产生将增加。但是，考虑到不断变化的过程的复杂性，三星HBM4也增加了实际成本。行业新闻预测，最初的市场价格HBM4（12HI 36 GB）将超过600美元（主张：当前汇率约为4,311人）。